紫外超分辨光刻机最新消息 紫外光刻机与荷兰ASML对比

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我国在芯片制造领域取得新突破！

经过近七年艰苦攻关，“超分辨光刻装备研制”项目通过验收。这意味着，现在中国有了“世界上首台分辨力最高的紫外(即22纳米@365纳米)超分辨光刻装备”。

换句话说，我国科学家研制成功了一种非常强大的光刻机。

光刻机，那可是芯片制造的核心装备。我国一直在芯片行业受制于人，在光刻机领域更是如此，时常遭遇国外掐脖子、禁售等种种制约。

对于这次的突破，验收专家组的意见是：

该光刻机在365纳米光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。

项目在原理上突破分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过国外相关知识产权壁垒。

消息一出，很多人都纷纷称赞，但大多数都是不明觉厉，当然也有人说是吹牛。这个消息背后，到底意味着什么呢？

这个突破亮点很多，其中最值得关注的有几个点，量子位简单总结如下：

光源：粗刀刻细线

这个国产的光刻机，采用365纳米波长光源，属于近紫外的范围。

通常情况下，为了追求更小的纳米工艺，光刻机厂商的解决方案是，使用波长越来越短的光源。ASML就是这种思路。

现在国外使用最广泛的光刻机的光源为193纳米波长深紫外激光，光刻分辨力只有38纳米，约0.27倍曝光波长。

这台国产光刻机，可以做到22纳米。而且，“结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片”。

也就是说，中科院光电所研发的这台光刻机，用波长更长（近紫外）、成本更低（汞灯）的光源，实现了更高的光刻分辨力（0.06倍曝光波长）。

项目副总设计师、中科院光电技术研究所研究员胡松在接受《中国科学报》采访时，打了一个比方：“这相当于我们用很粗的刀，刻出一条很细的线。”

这就是所谓的突破分辨力衍射极限。因此，它也被称为世界上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备。